变压器的磁损

编辑小哥S
电源变压器
2025-06-13 02:39:27
2

简述信息一览：

1、求单端反激开关电源变压器设计总结??
2、干货|一文教你提高开关电源效率,降低损耗,图文+公式,通俗易懂
3、半桥式开关电源变压器参数的计算方法是什么?
4、开关电源内部的各种损耗
5、电源变压器的计算方法
6、什么叫铜损耗、磁芯损耗

求单端反激开关电源变压器设计总结??

已知的参数这些参数由设计人员根据用户的需求和电路的特点确定，包括：输入电压Vin、输出电压Vout、每路输出的功率Pout、效率、开关频率fs（或周期T）、线路主开关管的耐压Vmos。

单端反激开关电源的变压器实质上是一个耦合电感，它要承担着储能、变压、传递能量等工作。在反激变换器中，副边反射电压即反激电压Vf与输入电压之和不能高过主开关管的耐压，同时还要留有一定的裕量（此处假设为150V）。反激电压由下式确定：Vf=VMos-VinDCMax-150V。

（图片来源网络，侵删）

总结，RCD钳位电路的设计是一个精细的平衡过程，每个参数的选取都对反激电源的性能至关重要。通过精确计算和实际验证，我们可以优化这个电路，使之成为反激电源设计中的关键保护措施。

你好：反激变换器的重要参数通常是由反激式变压器决定的，同时它也是反激开关电源的核心部分。设计反激式变压器时，让反激式开关电源工作在一个合理的工作点上尤为重要，原因在于，这样不仅可以让其发热尽量减小，而且对器件的磨损也会相应减小。

干货|一文教你提高开关电源效率,降低损耗,图文+公式,通俗易懂

这些缺点是硬开关技术无法克服的。软开关技术是在硬开关基础上附加一个谐振网络，这个网络为功率开关器件提供了率零电压和零电流开关条件，避免了开关器件集电极电流和集电极电压在开关过程中的交叠现象，降低了开关损耗，提高了电源的效率。

（图片来源网络，侵删）

所以，对于同样尺寸的开关电源，效率高的开关电源其温升较低，可以提高可靠性。但由于开关电源的元器件更小而使其过于小型化，为了平衡内部损耗其温升会较高，有可能制作一个可靠性低的开关稳压电源，所以，要注意这一点。

既可单机独立补偿也可多机并联补偿因为综合模块单机里面集成了智能测控单元，复合投切开关，保护单元，电力电容器等部件，因此单只模块只要接入一次回路，同时引入取样电流就可进行无功补偿。这种方式特别适合大功率用电设备就地补偿，减少无功电流的传输距离，降低损耗。

所谓硬开关，通电后电压立刻输出，软开关则是通电后电压缓慢上升输出。硬开关是指在固有的周期下进行开关，而软开关则不同，是利用了振荡作用，在电压和电流为零时使开关管打开和关闭，这样大大减少了在开关管上的损耗，提高了效率。

软开关电源技术是电力电子领域的一项关键性技术，它通过减少开关过程中的损耗和电磁干扰，显著提高电源转换效率和稳定性。本书系统地介绍了软开关电源的原理和应用，旨在为工程师提供一种更加高效、可靠的电源解决方案。

ZVS推高压包的电压电流规格需根据具体应用而定。一般来说，ZVS（零电压开关）技术常用于开关电源等场合，能够提高效率并降低损耗。电压方面，ZVS通常适用于中高压环境，比如几百伏至几千伏不等。电流方面，ZVS电路设计时需考虑负载需求，电流大小会根据负载大小波动。

半桥式开关电源变压器参数的计算方法是什么?

电路组成开关元件：半桥式电路由两个开关元件（如MOSFET或IGBT）组成，这两个开关元件交替导通和关断。电感器：用于存储和释放电能，实现电能的转换和传递。二极管：在开关元件关断时，提供电流续流路径，确保电路的稳定运行。

在开关电源的设计中，两种常见的电路结构是全桥和半桥，它们都属于双极型电路，可看作是两个正激电路的集成。正激和反击的分类依据在于输出电流何时通过开关管，而非开关管的数量。半桥电路的独特之处在于将桥式整流的两个二极管合并，通过这种方式，两个半桥可以组合成一个完整的桥式整流电路。

推挽结构中，变压器线圈***用双边磁化方式，磁芯的利用率较高，这使得变压器可以设计得更紧凑，体积更小。此外，器件能够承受较高的电压，这也是其优点之一。综上所述，半桥、全桥和推挽三种开关电源结构各有特点。

开关电源内部的各种损耗

开关电源内部主要损耗的提高与效率提升息息相关。主要损耗分为四个方面：开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损耗在有损元器件中常同时出现。功率开关损耗是开关电源内部最主要的损耗源之一。导通损耗发生在开关被开通，且驱动和开关波形稳定后，通过开关两端电压和电流波形的乘积计算得出。

开关电源的三大损耗包括：传导损耗、开关损耗和磁芯损耗。传导损耗传导损耗主要发生在开关电源的传导路径上。当电流通过电源内的电阻、导线等元器件时，会因导体电阻而产生能量损耗，这部分损耗即为传导损耗。

开关电源的三大损耗主要包括：与功率开关相关的损耗、输出整流器的损耗以及滤波电容的损耗。首先，功率开关是关键的损耗源，其损耗主要分为导通损耗和开关损耗。导通损耗在开关器件持续导通时产生，而开关损耗则在器件切换状态时出现，反映了功率转换过程中的能量损失。

开关电源的八大损耗主要包括以下几点：MOSFET的传导损耗：原因：MOSFET在导通状态下会有一定的电阻，电流通过时会产生热量损耗。影响因素：与电流的大小和RDS值密切相关。MOSFET的开关损耗：原因：MOSFET在开关过程中，由于电压和电流的变化不是瞬间完成，会产生过渡过程损耗。

磁滞损耗、涡流损耗和变压器线圈的铜损、铜阻损耗。开关电源变压器的磁滞损耗与绕组的匝数和驱动办法有关。它选择了每个作业周期在B-H曲线内扫过的面积，扫过的面积越大，磁滞损耗就越大。

开关电源Buck变换器功率损耗计算实例分析如下：实例背景：以LT8650S作为Buck电路控制器的实例进行分析。LT8650S内部***用两个MOSFET进行同步整流，以减少二极管传导损耗。损耗计算：在计算LT8650S的功率损耗时，需分别计算Top MOS和Bottom MOS的损耗。这包括导通损耗、开关损耗等。